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品牌	信安	型号	TSF8N60M
种类	绝缘栅(MOSFET)	沟道类型	N沟道
导电方式	增强型	用途	MOS-INM/独立组件
封装外形	CER-DIP/陶瓷直插	材料	GE-N-FET锗N沟道
开启电压	1（V）	夹断电压	1（V）
跨导	1（μS）	极间电容	1（pF）
低频噪声系数	1（dB）	最大漏极电流	1（mA）
最大耗散功率	1（mW）

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